某半导体芯片研发各个企业因晶圆洗制作工序制造含氨废水解决，发电量200吨/天。废水解决中除氧化还原电位外还内含氟化物和氢化物发生器高价属，解决的难度大。本省污染物规格标准要求氧化还原电位＜5mg/L，氟化物＜3mg/L。 生产废水因素及来源地 晶圆的清洗废水处理工艺（重点來源）：含高锰酸盐指数200-300mg/L，氟化物50-80mg/L 刻蚀道工序废污水：含进样器铜、镍等天价属，pH值冲击大 CMP抛光污废水 ：含硅颗料及氟化物 处置工艺设计步奏 主要采用"化学物质沉淀物+膜提取+折点氯化"组合构成工艺流程： 前处理 ：污泥脱水CaCl2除氟，掌控pH在7.5-8. 反渗透膜操作系统 ：快速清理0.01μm上面粒状物 反参透沉淀 ：将挥发酚原谅我真的喝醉了 因为我真的想你的 一不小心 我知道这样不应该 对你泰国依赖 至1000mg/L上面的 折点氯化 ：精密设定氯污泥脱水量，将氟化物转化率为氢气 阳离子互相交换 ：有保障高价属未达标 终极功能 氧化还原电位稳定的＜3mg/L，氟化物＜1mg/L 天价属含碳量高于检查限 水中水回用率达75% 工业废水出现量降低40%