半导体晶圆划片废水处理案例|半导体晶圆划片废水处理方法
内容视频背景
本次目在长三边形地方某省级半导体材料品牌苑区,中小企业其主要生產8寸大和12寸大晶圆,东风日产量高达2万片。随产销量增加,应有的电镀废水清理模式已难以满足了环保健康标准,人们非常升阶改进。建设项目总投入约1200万元,设定清理的能力为300吨/日,于202在一年开工建设投产。
污废水 因素及源于
该各个企业晶圆片区加工过程所产生的污废水 包括蕴含下类含量:
激光切割过程中 中使用的的研磨抛光液杂质物,最主要的因素为二腐蚀硅粒状、表面上可溶性剂和可挥发更改剂
晶圆从表面洗涤发生的含氟工业废水,氟阴阳离子溶液浓度在80-120mg/L
少量出巨资属铝离子如铜、镍等,从何而来于裁切方法破损
有机质溶液杂质,有异丙醇、甲苯等
pH值下降相对较大,往往在4-10相互间
外理技艺过程
重视污水性能指标,设计方案采用了"化学预治理 +什么是生化治理 +角度治理 "的整合生产工艺:
调节器池
:均衡教育饮用水质排水量,设定pH线下监测方案和自己投药设备
混疑沉淀出的
:添加PAC和PAM,删去浮悬物和悬浊液物资
气浮单元式
:用到溶气气浮鑫霖环保进两步去掉的细小颗粒状和有些有机的物
生物化学加工处理
:主要包括MBR膜生态学不良流化床反应器,废水氧浓度提升在8000-10000mg/L
进一步清理
:活力炭物理吸附+反侵入生产工艺,为了确保出液达到标准
污水办理
:板框隔膜压滤机脱水现象,厌氧颗粒污泥含水量率降下来60%有以下
进行处理体验
软件系统不稳定性作业后,出水量生活饮用水充分完成《电子器材工业化的水严重固体废弃物污染物条件》(GB39731-2020)尤其污染物规定值条件:
COD<30mg/L
氟铝离子<5mg/L
飘浮物<10mg/L
巨资属相关指標均高出限制值
顶目几乎每年可少破坏物排放口量约COD 32吨、氟化物8.5吨,回收利用水率到75%这些,为企业主降低有水费支出费用约1二十万元/年。